크리스탈:크드즈킨이트 CZT
도전성 타입:p 형
배향:(211), (111)
도핑된 선택:아무것도, Si, Cr, Fe, 아연
사이즈 (밀리미터):10x10mm
조도:표면 거칠기(Ra) : <= 5A
성장법:쵸크랄스키법
결정 구조:M3
유닛 용기 상수:a=5.65754 A
항목:2 인치 4H n형
지름:2 인치 (50.8mm)
두께:350+/-25um
상품 이름:SiC 기판, 탄화규소 반도체 웨이퍼
전체 이름:탄화 규소 결정 기판
화학식:SiC
구조:R3m, 능면체
래티스:a0 ~ 4.024Å
녹는점(℃):1280
상품 이름:GaAs 기판
재료:갈륨 비소 크리스탈
보증:일년
상품 이름:크드이트 반도체 웨이퍼
전체 이름:카드뮴 텔루리드
화학식:크드이트
상품 이름:Ge 반도체 웨이퍼
화학식:GE
사이즈:10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,dia2 Ｘ 0.33 밀리미터 dia2 Ｘ 0.43 밀리미터 15 Ｘ 15 밀리미터
상품 이름:PMN-PT 단결정 기판
화학식:Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3
결정 방향:(001), (110), (111)
상품 이름:CZT는 탐사합니다
재료:CdZnTe
비중:5.8g/cm3
상품 이름:CZT는 탐사합니다
재료:CdZnTe
비중:5.8g/cm3
